1，半（bàn）導體廢（fèi）氣簡述

半導體製造工藝中（zhōng）需要使用多種特殊氣（qì）體、大量的酸、堿等化學品以及有機溶劑和揮（huī）發性液體，這些氣體和化學（xué）品在（zài）半導體製造（zào）的不同工藝（yì）中使用，產生酸性、堿性、有機廢氣，這些廢氣如果沒有經（jīng）過處理直接排放，將造（zào）成嚴（yán）重的汙染問題，不僅影響人們的身體健康，惡化大（dà）氣環境，造成環境汙（wū）染的公害事件等，因此，必須對半導（dǎo）體（tǐ）廢氣進行淨化處理後，達到大氣汙染物標準排放。

1.1 半導體廢（fèi）氣汙染物來源

（1）酸（suān）性/堿性工（gōng）藝廢氣

酸性廢氣來源於工藝（yì）流程中使（shǐ）用的各種酸液和酸性氣體對芯片的腐蝕過程和清洗過程，主要（yào）汙染物為氟化物、硫（liú）酸霧、氮氧化物（wù）、氯化氫；堿性廢氣來源（yuán）於刻蝕工序和工藝過程（chéng）中使用的氨水和氨氣，主要成分為（wéi）氨。

（2）有機廢氣

有機廢氣汙染物丙（bǐng）酮、甲醇、二甲苯和異丙醇來源於使用有機溶劑清洗和光刻過程。半導體製造工藝中（zhōng）使（shǐ）用的有機溶劑量比較大，因此，對有機廢氣處理采取單獨處理設備。

（3）特殊氣體工藝尾氣

特殊氣（qì）體工藝廢（fèi）氣是指在氧化、擴散、CVD沉積、離子注（zhù）入（rù）、幹法刻蝕等工序中產（chǎn）生的微量（liàng）矽烷、磷烷、硼烷、以及（jí）CLa、CF4。

2.半導體廢（fèi）氣處理方法

2.1 半導體工藝尾氣處理

（1）摻雜氣體工藝尾氣處理

在集成（chéng）電（diàn）路芯片的加工（gōng）過程中，摻雜氣體工藝尾氣主要來自擴散、CVD沉積、離子（zǐ）注（zhù）入工序，尾氣中含有微量矽烷、磷烷、三氯化硼、硼烷等特（tè）殊氣體。

為防止出現工藝尾氣中特（tè）殊（shū）氣體的排放濃度突然增大的情況和其它意外突發情況，確（què）保工藝尾氣的安全處理效果，經源頭處理後的工藝尾氣再經有機廢氣處（chù）理係統和酸性廢氣處理係統處理後排放。

即要求擴散爐、強束流離（lí）子注入機（jī）、低濃度離子注入（rù）機、CVD機配套工藝尾氣淨化裝置，工藝尾氣再經有機廢氣處理係統和酸性廢（fèi）氣處理係統處理後排放。

半導體芯片廠一般配套的工藝尾氣淨化裝置采用（yòng）燃燒法處理這些廢氣，並且將燃燒過的排氣再經有機廢氣處理係統和酸性（xìng）廢氣處理係統作進一步處理。

燃燒後的SiO2、PO等顆粒物沉澱，燃（rán）燒產生的尾（wěi）氣納入酸性廢氣處理係統，可被（bèi）堿液噴淋吸收淨化處理。

（2）幹法蝕刻工（gōng）藝尾氣處理

幹法刻蝕（shí）使用氯氣（qì）、四氟化碳等全氟化物（PFCs），大部分氯氣和全氟化物轉化為氯化氫和氟化物，未反（fǎn）應部分經配套（tào）的工藝尾氣淨化裝置處理，再經有機廢氣處理（lǐ）係統和酸性廢氣處理（lǐ）係統處理後排放。一般（bān）對氯氣和全氟化物工藝尾氣采用（yòng）化學（xué）吸附法處理。

2.2 半導體工藝廢氣處理

（1）酸堿性廢氣處理方法（fǎ）

對清（qīng）洗槽產（chǎn）生的酸堿廢氣、含氟廢氣以及預處理後的廢氣，輸送進入酸堿洗（xǐ）滌塔，通過酸堿中和法將半導體製造工藝中的（de）酸性堿廢氣、含氟廢氣去除，達到環保排放的要求。

酸堿洗滌塔屬於微分接觸（chù）逆流式（shì），塔體內的填料是氣液兩相接觸的基本構件。塔（tǎ）體外部的氣體進入塔體後，氣體（tǐ）進（jìn）入填料（liào）層，填料層（céng）上有來自於頂（dǐng）部的噴淋液（yè）體及前麵的噴淋液體，並在填料上形成一層液膜，氣（qì）體流經填料空隙時，與填料液（yè）膜接觸並進行（háng）吸收或中和反應，填料層能（néng）提供足夠大的表麵積，對（duì）氣體流動又不致造成過大的阻力，經吸收或中和後的氣體經除霧器收集後，經出風口排出塔外。廢氣由風機自風管吸入，自（zì）下而上穿過填料層循環水由塔頂通過液體分布器，均勻（yún）地噴淋到（dào）填料層中，沿（yán）著填料層表麵向下流動，進入循環水箱。由於（yú）上升氣流和下降吸收劑在填料中不斷接觸，上升氣流中流質的濃度越來（lái）越低，到塔頂時達到排放要求。液膜上的（de）液體在重力作用下流入循環水池，並由循環泵抽出循環（huán）。噴淋塔上段配備有（yǒu）除霧（wù）係統，淨化後的氣體通過除霧（wù）器的彎曲通道，在慣性力及重力的作用下將氣（qì）流中夾帶的液滴分離出來，處理（lǐ）後的廢氣以（yǐ）一定的（de）速度流經除（chú）霧器，廢氣（qì）被快速、連續改變運動方向（xiàng），因離心力和慣性的作用，廢氣內的霧（wù）滴撞擊到除霧器葉片上被捕集下（xià）來，霧（wù）滴匯集形成水流，因（yīn）重力的作用，下落至漿液池內，實現了氣液分離，使得流經除霧器的廢氣達（dá）到除霧要求後排出。

（2）有機（jī）廢氣處理方法

清洗槽（cáo）、光（guāng）刻機、去膠（jiāo）機等產生的有機廢（fèi）氣，然而對於有機廢氣處理方法有很多種，常見主要有活（huó）性炭吸附法、燃燒法、UV光解（jiě）淨化（huà）法等（děng），接下來，天浩洋環保小編詳細介紹半導體有機廢氣處理方法。

① 活性炭吸附法

活性炭（tàn）吸（xī）附法主要原理就是利用多孔固體（tǐ）吸附劑（活性碳、矽（guī）膠、分子篩等）來處理有機廢氣，這（zhè）樣就能夠通過化學（xué）鍵力或者是（shì）分子引力充分吸附有害成（chéng）分，並且將其吸附在吸附劑的表麵（miàn），從而達到淨（jìng）化有機廢氣的（de）目的。吸附法目前主要應用（yòng）於大（dà）風（fēng）量（liàng）、低濃度（≤800mg/m3）、無顆粒物、無粘性物、常溫的低濃度有機廢氣淨化處理。

活性炭淨化率高（活（huó）性炭吸附（fù）可達到95%以上），實用遍及，操縱簡單，投資低（dī）。在吸附飽和以後需要更換新的活性炭，更換活性炭需（xū）要費用，替換下（xià）來的飽和以後的活性（xìng）炭也是需要找（zhǎo）專業人員進行危廢處理，運行（háng）費用（yòng）高。

② 燃燒法

燃燒法隻在揮發性有（yǒu）機物在高溫及空氣充足的條件下進行完全燃燒，分解為CO2和H2O。燃燒法適用於各（gè）類有機廢氣，可以（yǐ）分為直接（jiē）燃（rán）燒、熱力（lì）燃（rán）燒和催化燃燒。

排放濃度大於5000mg/m³ 的高（gāo）濃度廢氣一般采用直接（jiē）燃燒法，該方法將VOCs廢氣作為（wéi）燃料進行燃燒（shāo），燃燒溫度一般控製在1100℃，處理效率高，可以達到95％一99％。

熱（rè）力（lì）燃燒法適合於處理濃度在1000—5000 mg/m³ 的廢氣，采用熱力燃燒法（fǎ），廢氣中VOCs濃度較低，需要借助其他燃料或助燃氣體，熱力燃燒所需的溫度較直接燃燒低（dī），大（dà）約為540—820℃。燃燒法（fǎ）處理VOCs廢氣處理效率（lǜ）高（gāo），但VOCs廢氣若含有S、N等（děng）元（yuán）素，燃（rán）燒後產生的廢氣直接外排會導致二次汙染。

通過熱力燃燒或者催化燃燒法處理有（yǒu）機廢（fèi）氣（qì），其淨化（huà）率是比較高的，但是其投資運營成本極（jí）高。因（yīn）廢氣排放的點多且分散，很難實現集中收集。燃燒裝置需（xū）要多套且需要很大的占地麵積。熱力燃燒比較適合24小時連續（xù）不斷（duàn）運行且濃度較高而穩定的廢氣工況（kuàng），不適合間斷（duàn）性的（de）生產產線工況。催化燃燒（shāo）的投資和運營費用相對熱力燃（rán）燒較低，但淨化效率也相（xiàng）對較低一些；但貴金屬催（cuī）化劑容易（yì）因為廢（fèi）氣（qì）中的雜質（如硫化物（wù））等造成中毒失效，而更換催化劑的費用很高；同時對廢氣進氣條件的控製非常嚴格，否則會造成催化燃燒室堵塞而引起（qǐ）安全事故。

③ UV光解淨化法

UV光解淨化法利用高能UV紫外線光束分解空氣中的氧分子產生遊離氧（即活性氧），因遊離氧所攜帶正負電（diàn）子不平（píng）衡所以需與氧分子結合，進而（ér）產生臭氧，臭氧具有很強（qiáng）的（de）氧化性，通過臭氧對有（yǒu）機廢氣、惡臭氣體進行協同光解氧化作用，使有機廢氣、惡臭氣體物質（zhì）降解轉化成低分子化合物、CO2和H2O。

UV光解淨化法具有高效處理（lǐ）效率，可達到95%以上；適應性強，可適應中低濃度，大氣量，不同有機廢（fèi）氣以及惡臭氣體物質的淨（jìng）化處理；產品（pǐn）性能穩定，運行穩定可靠，每天可（kě）24小時連續工作；運行成（chéng）本低，設備耗能低，無需專（zhuān）人管理與維護，隻需作定期檢查。UV光解法因采用光解原理，模塊采取隔爆處理，消除（chú）了安全（quán）隱患，防火、防爆、防腐蝕性能高，設備性能安全穩定，特別適用於化工、製藥等防爆要求高的（de）行業（yè）。

以（yǐ）上關於半（bàn）導體廢氣處理方法介紹，希望可以幫到您，其實對於半導體廢氣處理，一般是需（xū）要（yào）根據廢氣的濃度、產生量、廢（fèi）氣成分（fèn）、如何收集等方（fāng）麵進行設計。如果您有半導體廢氣需要（yào）淨化（huà）處理，可以隨時撥打（dǎ）400-808-2272電話，谘詢天浩（hào）洋環保,為您提供半導體廢（fèi）氣處理方案及設備。